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BSO220N03MS G 全國供應商、價格、PDF資料

BSO220N03MS G詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 8.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 15V; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：PG-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSO220N03MS G詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 8.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 15V; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：PG-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO220N03MS G詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 8.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 15V; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：PG-DSO-8; 包裝：Digi-Reel®

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